Symboler

01 Energier og bånd

Symbol	Betydning	Enhet
$E$	Energi, oftest elektronets totale energi Ikke det elektriske feltet $\mathcal{E}$ . I en krets med en diode er $E$ kildespenningen.	eV
$E_c,\ E_v$	Bunnen av ledningsbåndet og toppen av valensbåndet	eV
$E_g$	Båndgapet, $E_c - E_v$ $1{,}11$ eV for Si og $1{,}43$ eV for GaAs ved 300 K.	eV
$E_F$	Fermi-nivået	eV
$E_i$	Det intrinsiske nivået, $E_F$ i udopet materiale	eV
$E_d,\ E_a$	Donor- og akseptornivået	eV
$F_n,\ F_p$	Kvasi-Fermi-nivåene for elektroner og hull Skrives også $E_{Fn}$ og $E_{Fp}$ . I likevekt er begge lik $E_F$ .	eV
$k$	Bølgevektoren til elektronet i krystallen Ikke Boltzmanns konstant, som skrives $k_B$ .	cm⁻¹
$\hbar k$	Krystallmomentum	eV·s/cm
$\psi$	Bølgefunksjonen til elektronet
$m^*$	Effektiv masse, fra krumningen til $E(k)$ Oppgis som brøkdel av $m_0$ : $m_n^$ for elektroner, $m_p^$ for hull.	kg
$m_l,\ m_t$	Langsgående og tverrgående effektiv masse i én dal i Si $0{,}98\,m_0$ og $0{,}19\,m_0$ .	kg

02 Bærere og konsentrasjoner

Symbol	Betydning	Enhet
$n,\ p$	Konsentrasjonen av elektroner i ledningsbåndet og hull i valensbåndet	cm⁻³
$n_0,\ p_0$	Likevektskonsentrasjonene	cm⁻³
$n_i$	Intrinsisk bærerkonsentrasjon $1{,}5 \times 10^{10}$ cm⁻³ for Si ved 300 K.	cm⁻³
$n_n,\ p_n$	Elektron- og hullkonsentrasjonen på n-siden av en pn-overgang Tilsvarende $n_p$ og $p_p$ på p-siden. Indeksen sier hvilken side, bokstaven hvilken bærer.	cm⁻³
$N_c,\ N_v$	Effektiv tilstandstetthet i lednings- og valensbåndet $2{,}9 \times 10^{19}$ og $1{,}0 \times 10^{19}$ cm⁻³ for Si ved 300 K.	cm⁻³
$N_d,\ N_a$	Konsentrasjonen av donorer og akseptorer	cm⁻³
$N_d^+,\ N_a^-$	Konsentrasjonen av ioniserte donorer og akseptorer Lik $N_d$ og $N_a$ ved romtemperatur i Si.	cm⁻³
$f(E)$	Fermi–Dirac-fordelingen, sannsynligheten for at en tilstand er okkupert
$N(E)$	Tilstandstettheten, antall tilstander per volum og energi	cm⁻³·eV⁻¹

03 Transport

Symbol	Betydning	Enhet
$\mathcal{E}$	Elektrisk felt Ikke energien $E$ . Positiv retning er den et hull driver i.	V/cm
$\mathcal{B}$	Magnetisk flukstetthet, i Hall-effekten $1$ Wb/cm² $= 10^4$ T. Hører sammen med $v$ i cm/s og $\mathcal{E}$ i V/cm.	Wb/cm²
$\mathcal{V}$	Elektrostatisk potensial Ikke spenningen $V$ over komponenten. $\mathcal{E} = -d\mathcal{V}/dx$ .	V
$\langle v_x\rangle$	Drifthastigheten	cm/s
$v_s$	Metningshastigheten ved sterkt felt Omtrent $10^7$ cm/s i Si.	cm/s
$\mu_n,\ \mu_p$	Mobiliteten til elektroner og hull, drifthastighet per felt $1350$ og $480$ cm²/V·s i rent Si ved 300 K. Alltid positiv.	cm²/V·s
$\tau$	Midlere tid mellom kollisjoner Ikke levetiden $\tau_n$ , $\tau_p$ , som er tiden før rekombinasjon.	s
$l$	Midlere fri veilengde mellom kollisjoner	cm
$\sigma$	Ledningsevne	(Ω·cm)⁻¹
$\rho$	Resistivitet, $1/\sigma$ Ikke romladningstettheten i Poissons ligning, som skrives ut som $q(p - n + N_d^+ - N_a^-)$ .	Ω·cm
$R$	Resistansen til en stav, $\rho L/wt$ $L$ er lengden langs strømmen, $w$ bredden og $t$ tykkelsen.	Ω
$J$	Strømtetthet, $J_n + J_p$ $J_n$ og $J_p$ er bidragene fra hver bærertype; hver har et drift- og et diffusjonsledd.	A/cm²
$I$	Strøm, $J$ ganger tverrsnittet	A
$R_H$	Hall-koeffisienten Negativ for elektroner, positiv for hull.	cm³/C
$D_n,\ D_p$	Diffusjonskoeffisienten til elektroner og hull $35$ og $12{,}5$ cm²/s i Si ved 300 K.	cm²/s
$\phi$	Partikkelfluks, antall bærere per areal og tid Strømtettheten er fluksen ganger ladningen.	cm⁻²·s⁻¹

04 Overskuddsbærere

Symbol	Betydning	Enhet
$\delta n,\ \delta p$	Overskuddet av bærere ut over likevekt, $n - n_0$ og $p - p_0$ Liten delta: overskuddet som funksjon av tid eller sted.	cm⁻³
$\Delta n,\ \Delta p$	Startverdien av overskuddet, ved $t = 0$ eller $x = 0$ Stor delta: en konstant, ikke en funksjon.	cm⁻³
$\tau_n,\ \tau_p$	Levetiden til minoritetsbærere før rekombinasjon $\tau_n$ gjelder elektroner i p-type, $\tau_p$ hull i n-type.	s
$g_\text{op}$	Optisk generasjonsrate	cm⁻³·s⁻¹
$g_i,\ r_i$	Termisk generasjons- og rekombinasjonsrate i likevekt	cm⁻³·s⁻¹
$a_r$	Rekombinasjonskoeffisienten, $r = a_r np$	cm³/s
$L_n,\ L_p$	Diffusjonslengden, $\sqrt{D\tau}$ Så langt et overskudd rekker før det har rekombinert til $1/e$ .	cm
$\alpha$	Absorpsjonskoeffisienten for lys, intensiteten faller som $e^{-\alpha x}$	cm⁻¹
$h\nu$	Fotonenergien Må være minst $E_g$ for å lage et par.	eV

05 pn-overgangen

Symbol	Betydning	Enhet
$W$	Bredden av romladningssonen, $x_{p0} + x_{n0}$	cm
$x_{n0},\ x_{p0}$	Hvor langt sonen strekker seg inn i n- og p-siden Lengst inn på den svakest dopede siden.	cm
$V_0$	Kontaktpotensialet over sonen i likevekt	V
$V$	Påtrykt spenning over overgangen Positiv i lederetningen (p-siden høyest). Sperrespenningen skrives $V = -V_r$ .	V
$\mathcal{E}_0$	Det største feltet i sonen, ved skillet $x = 0$	V/cm
$\varepsilon$	Permittiviteten til halvlederen, $\varepsilon_r\varepsilon_0$ $\varepsilon_r = 11{,}8$ for Si.	F/cm
$I_0$	Metningsstrømmen i sperreretningen	A
$x_n,\ x_p$	Avstanden fra sonekanten innover i n- og p-siden Måles fra $x_{n0}$ og $-x_{p0}$ , ikke fra skillet $x = 0$ .	cm
$\Delta p_n,\ \Delta n_p$	Overskuddet av minoritetsbærere ved sonekantene Negativt i sperreretningen, ned til $-p_n$ og $-n_p$ .	cm⁻³
$Q_p,\ Q_n$	Ladningen som er lagret i minoritetsprofilen på n- og p-siden	C
$A$	Tverrsnittet av overgangen	cm²
$V_\text{br}$	Gjennombruddsspenningen	V
$M$	Multiplikasjonen i skred, bærere ut per bærer inn
$P$	Sannsynligheten for en ioniserende kollisjon på én tur gjennom sonen
$d$	Tunnelavstanden mellom båndene i Zener-effekten	cm
$i(t),\ v(t)$	Strømmen gjennom og spenningen over overgangen under en transient Små bokstaver for størrelser som endrer seg med tiden.
$I_f,\ I_r$	Strømmen i lederetningen før omslaget og sperrestrømmen etter	A
$t_{sd}$	Lagringstiden	s
$C_j$	Overgangskapasitansen, fra ionene i romladningssonen	F
$C_s$	Diffusjonskapasitansen, fra den lagrede ladningen	F
$G_s$	Småsignalkonduktansen, $dI/dV$	Ω⁻¹
$c$	Lengden av den lett dopede siden i en kort diode	cm
$n$	Idealitetsfaktoren i diodeligningen Ikke elektronkonsentrasjonen $n$ . Mellom 1 og 2.
$V_a$	Spenningen over hele komponenten $V$ er den delen som ligger over overgangen.	V
$R_p,\ R_n$	Motstanden i det nøytrale p- og n-området	Ω

06 Konstanter

Symbol	Betydning	Enhet
$q$	Elementærladningen $1{,}602 \times 10^{-19}$ C. Elektronet har ladning $-q$ , hullet $+q$ .	C
$k_B$	Boltzmanns konstant $8{,}62 \times 10^{-5}$ eV/K.	eV/K
$k_BT$	Termisk energi $0{,}0259$ eV ved 300 K; $k_BT/q = 0{,}0259$ V.	eV
$\hbar$	Redusert Plancks konstant, $h/2\pi$ $6{,}58 \times 10^{-16}$ eV·s; $h = 4{,}14 \times 10^{-15}$ eV·s.	eV·s
$\varepsilon_0$	Permittiviteten i vakuum $8{,}85 \times 10^{-14}$ F/cm.	F/cm
$m_0$	Elektronets hvilemasse $9{,}11 \times 10^{-31}$ kg. Effektive masser oppgis som brøkdeler av den.	kg
$a_0$	Bohr-radien $0{,}529$ Å.	Å